研究概要

薄膜成長技術・ナノテクノロジーを駆使し、強的秩序構造を有する新しい物性を探求し、エレクトロニクスのデバイス化とすることを目標としている。
[2次元材料と規則合金の界面] グラフェン、WS2, PdS2, h-BNなどの二次元材料と高磁気異方性を有するL10規則合金材料がファンデルワールス力で結合した界面の構造、新規物性に関わる研究を行っている。
[マルチフェロイックス] 室温以上に転移温度のある新規マルチフェロイックスの探索的な研究を行っている。マルチフェロイックスと金属の界面にあらわれる特異な超軌道分裂の解明を進めている。
また、新しいスピン依存伝導現象、2次元電子ガスのスピン軌道相互作用を利用した高効率スピン-電荷変換に関わる研究を行っている。

[高速スピンダイナミクス] スピントルク、軌道トルクなどを利用したスピンダイナミクスの研究を行っている。特に、高い結晶磁気異方性を有するL10規則合金を用いた強磁性トンネル接合素子において高周波スピンダイナミクスを電気的に検出し、不揮発性磁気メモリの高速動作時の物理的現象の理解および次世代の高周波スピン発振・検波の研究開発を行っている。

[STT, SOT-MRMA集積デバイス] CMOSと3次元構造としたSTT, SOT-MRAM集積デバイスの実用化研究を行っている。サブナノ秒の高速磁化反転特性およびデータ熱安定性を300mmシリコンウェハー上に作製したSTT,SOT-MRAM素子を用いて評価している。また、マイクロマグネティックシミュレーションによる解析も行っている。

[神経細胞の発火現象の磁気的検出] 神経細胞の発火時の電流により生じた漏洩磁場を独自設計した垂直磁化型の張虎感度磁気センサーにより検出する。



永沼 博
(NAGANUMA Hiroshi)

名古屋大学国際高等研究機構
居室:工学部5号館133室(兼務)未来材料・システム研究所
naganuma.hiroshi.j2:a:f.mail.nagoya-u.ac.jp
(:a:を@へ変更してください)

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
(兼務)先端スピントロニクス研究開発センター
居室:電気情報システム応物系D08 1階
hiroshi.naganuma.c3:a:tohoku.ac.jp
(:a:を@へ変更してください)

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